动能芯片 | 存储器涨势持续强劲，国产存储迎来窗口期

    本轮存储器涨价的核心驱动力，来自人工智能带来的结构性需求爆发。

    一方面，AI服务器对存储的需求强度远超传统服务器。无论是大模型训练还是推理部署，都需要更高容量、更高带宽、更高并发的存储支撑，HBM、服务器DRAM、企业级NAND成为核心增量市场。AI服务器对存储芯片的消耗量，已达到普通服务器的数倍水平。

    另一方面，全球存储龙头正在主动收缩通用型产能。三星、SK海力士、美光等厂商将先进制程和资本开支持续向HBM、DDR5等高端高毛利产品倾斜，对DDR4等中低端产品减产甚至停产，导致通用存储供给明显收紧。

    在“需求猛增 + 供给收缩”的双重作用下，存储价格快速上行。服务器DRAM在2026年一季度被明确提出大幅提价预期，通用型DRAM、NAND现货价格也在此前已出现成倍上涨，“一盒内存条堪比一套房”的话题登上热搜，正是市场供需失衡的直观体现。

    值得注意的是，这一轮涨价并非短期情绪推动，而是供需关系变化带来的长期格局重塑。

    来自全球头部云厂商、服务器厂商的采购负责人，试图通过签订2—3年的长期供货协议来锁定产能，但存储原厂坚持按季度定价、拒绝长约，背后反映的是对未来供需持续紧张的高度确定性。

    多方判断认为，2026年全年，DRAM与NAND仍将处于供不应求状态，服务器领域的存储消耗增速显著高于供给增速。存储市场已从“价格竞争”阶段，进入“资源竞争”阶段。

    产业趋势迅速传导至资本市场。

    海外方面，存储龙头股价持续走高；国内A股市场中，存储器与半导体设备板块联动上行，多家设备企业刷新历史高点。原因并不复杂——在存储上行周期中，原厂扩产必须先行采购设备，设备与材料环节的业绩确定性反而更强。

    尤其是在前道制程、刻蚀、薄膜沉积、量测、CMP等环节，国产设备与材料企业已实现实质性突破，在本轮周期中具备明确的放量逻辑。

    在全球巨头集中资源攻坚高端存储的同时，中低端与通用型市场出现明显缺口，这为国产存储厂商创造了宝贵的发展窗口。

    以长鑫科技为代表的国内DRAM厂商，正加速产能爬坡与技术升级。其IPO募资计划明确指向量产线技改、DRAM技术升级及前瞻研发，设备导入和产能释放将在未来两年内逐步落地。这不仅有助于提升国产存储的供给能力，也将带动本土设备、材料与零部件的协同成长。

    从产业逻辑看，本轮存储上行并非简单的周期反弹，而是在AI驱动下形成的结构性机会。国产存储在通用型产品、性价比方案、稳定交付方面，正逐步建立自身优势。

    在当前市场环境下，我们可为客户提供稳定、可持续供货的存储器选型支持，覆盖多类主流应用场景，以下是我司部分存储芯片型号。

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